这个英飞凌科技硅橡胶®小信号P沟道MOSFET具有几个特点，包括增强模式、低至-80A的连续漏电流以及宽的工作温度范围。SIPMOS功率晶体管可用于各种应用，包括电信、eMobility、笔记本电脑、DC/DC设备以及汽车行业。
·AEC Q101合格（请参考数据表）
·无铅电镀，符合RoHS
SPP15P10PHXKSA1
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 128W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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起订量: 549
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- 单价: ¥3.98360
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- +
- 总计: ¥2,186.99
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 场效应管类型 P-通道
- 供应商设备包装 PG-TO220-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 15A（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 48 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 128W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1280 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 在10.6A、10V时为240毫欧姆
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.54毫安时为2.1V
SPP15P10PHXKSA1 产品详情
Infineon SIPMOS®P沟道MOSFET
SPP15P10PHXKSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SPP12 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥562.99062 |
| SPP18 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥1,004.44537 |
| SPP13 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥590.00663 |
| SPP14 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥598.77054 |
| SPP15 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥615.57407 |
| SPP17 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥908.69423 |
| SPP20 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥1,073.97721 |
 | SPP2UL4700JLF | TT电子 (TT) | 电阻: 470欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 2W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.23081 |
| SPP03N60C3XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | LOW POWER_LEGACY | ¥3.9836 |
| SPP1421DMR2G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH SMD | ¥6.95318 |
SPP15P10PHXKSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SPP15P10PHXKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SPP15P10PHXKSA1价格参考￥3.983595，你可以下载 SPP15P10PHXKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SPP15P10PHXKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
