该设备专为蜂窝手机和其他超便携应用中的电池充电或负载切换而设计。它的特点是MOSFET具有低导通电阻和齐纳二极管ESD保护。MicroFET 1.6x1.6薄型封装因其物理尺寸而具有优异的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
特征
VGS=-4.5 V，ID=-8 A时，最大rDS（开）=24 mΩ
VGS=-2.5 V，ID=-7 A时，最大rDS（开）=31 mΩ
VGS=-1.8 V，ID=-6 A时，最大rDS（开）=45 mΩ
薄型：新封装中最大0.55mm MicroFET 1.6x1.6薄型
HBM ESD保护等级>2 kV（典型值）（注3）
不含卤化化合物和氧化锑
符合RoHS
特色
- VGS=-4.5 V，ID=-8 A时，最大rDS（开）=24 mΩ
- VGS=-2.5 V，ID=-7 A时，最大rDS（开）=31 mΩ
- VGS=-1.8 V，ID=-6 A时，最大rDS（开）=45 mΩ
- 薄型：新封装中最大0.55mm MicroFET 1.6x1.6薄型
- HBM ESD保护等级>2 kV（典型值）（注3）
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 符合RoHS
应用
- 移动手持设备
- 便携式设备
（图片：引线/示意图）
