特色
- VGS=10 V，ID=38 A时，最大rDS（开）=1.09 mΩ
- VGS=4.5 V，ID=35 A时，最大rDS（开）=1.3 mΩ
- 用于极低rDS的高性能技术（上）
- SyncFETTM肖特基体二极管
- 100%UIL测试
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMS1D4N03S
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 211A（Tc） 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥21.68524
-
数量:
- +
- 总计: ¥21.69
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规格参数
- 包装数量 -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
- 最大功耗 74W (Tc)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 供应商设备包装 8-PQFN (5x6)
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V
- 场效应管特性 肖特基二极管（体）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 211A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 1.09欧姆@38A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10250 pF@15 V
FDMS1D4N03S 产品详情
FDMS1D4N03S的设计旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。硅和封装技术的进步结合在一起，提供了最低的rDS（开启），同时保持了优异的开关性能。该器件具有高效单片肖特基体二极管的附加优点。
FDMS1D4N03S 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMS1D4N03S所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDMS1D4N03S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMS1D4N03S价格参考￥21.685243，你可以下载 FDMS1D4N03S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMS1D4N03S规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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