9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA02N450HV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA02N450HV价格参考2.99美元。IXYS IXTA02N450HV封装/规格：MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263。您可以下载IXTA02N450HV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTA02N450HV价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTA02N250HV是MOSFET SMD N沟道功率MOSFET，包括管封装，它们设计为以0.062435盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供to-263AB等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1沟道数量的沟道，该器件也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供83 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为200 mA，并且Vds漏极-源极击穿电压为2.5kV，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为450欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为7.4nC，正向跨导最小值为145mS，沟道模式为增强。
IXSX80N60B是IGBT 600V 160A 500W PLUS247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.5V@15V、80A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于480V、80V、2.7 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如60ns/140ns，开关能量设计为4.2mJ（关）工作，除了TO-247AD（IXSK）供应商器件封装外，该器件还可以用作500W最大功率。此外，封装为管，器件采用TO-247-3封装盒，器件具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为240nC，集电器脉冲Icm为300A，集电器Ic最大值为160A。
IXT-1-1N100S1-TR是MOSFET 1.5安培1000V 11欧姆Rds，包括卷筒封装，它们设计用于IXT-1-1N1 00S1系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
IXT-1-1N100S1是由IXY制造的MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC。IXT-1-1N100S1采用8-SOIC封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC、N沟道1000V 1.5V（Tc）、高压功率MOSFET。
