9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS9411-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS9411-F085参考价格为0.43000美元。onsemi FDMS9411-F085封装/规格：MOSFET N-CH 40V 30A POWER56。您可以下载FDMS9411-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMS9409_F085带有引脚细节，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.008818盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerTrench，以及Power-56-8封装盒，该设备也可用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为100 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为65A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为41nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的FDMS9410_F085，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.008818 oz，典型开启延迟时间设计为12.1 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为5.9 ns，漏极-源极电阻Rds为7.9 mOhms，Qg栅极电荷为24 nC，Pd功耗为75 W，封装为卷轴式，封装盒为Power-56-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为50 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDMS9410L_F085带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为在1 N信道配置下运行，下降时间显示在数据表注释中，用于5 ns，提供Id连续漏电流功能，例如50 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用Power56-8封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为75W，Qg栅极电荷为30nC，Rds漏极-源极电阻为7.3mOhm，上升时间为5ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为9ns，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为1V。
