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BSS126H6327XTSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21毫安(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥3.78079
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.78
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 耗尽型
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 0伏、10伏
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21毫安(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 500欧姆 @ 16毫安, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.6V@8A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.1 nC@5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 28 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 PG-SOT23
  • 部件状态 过时的

BSS126H6327XTSA1 产品详情

Infineon SIPMOS®N沟道MOSFET

特色

  • 耗尽模式
  • dv/dt额定值
  • 捡拾盘上有V GS(第)指示灯
  • 无卤素;无铅铅镀层;符合RoHS
  • 符合AEC Q101要求

应用

  • 汽车
  • 消费者
  • 直流-直流
  • 电子移动性
  • 车载充电器
  • 电信
BSS126H6327XTSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSS126H6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSS126H6327XTSA1价格参考¥3.780794,你可以下载 BSS126H6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSS126H6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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