9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP20N60S5HKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP20N60S5HKSA1价格参考2.794美元。Infineon Technologies SPP20N60S5HKSA1封装/规格：HIGH POWER_LEGACY。您可以下载SPP20N60S5HKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPP20N60C3XKSA1是MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3，包括SPP20N60系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000681058 SPP20N6OC3 SPP20N60X3XK，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为208 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.5 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为20.7A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为67ns，典型导通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为87nC，并且正向跨导Min为17.5S。
SPP20N60CFD是MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 CoolMOS CFD，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为59 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS CFD系列，上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为220 mOhms，Pd功耗为208 W，零件别名为SP000681060 SPP20N60CFDHKSA1 SPP20N60DFDXK SPP20N80CFDXKSA1，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为20.7 A，下降时间为6.4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPP20N60C3是MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，以4.5 ns为单位，具有20.7 a等Id连续漏极电流特性，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，部件别名为SP000681058 SPP20N60C3HKSA1 SPP20N6OC3XK SPP20N60X3XKSA1，Pd功耗为208 W，漏极电阻Rds为190 mOhms，上升时间为5 ns，系列为CoolMOS C3，技术为Si，商品名为CoolMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为67ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SPP20N60C3（20N60C3），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。SPP20N60C3（20N60C3）以TO-220封装形式提供，是IC芯片的一部分。
