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SPP02N60C3是MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB,包括CoolMOS C3系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于SP000681014 SPP02N6OC3HKSA1 SPP2N60C3XK SP02N60C3XKSA1,提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及CoolMOS商品名,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为25W,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为12ns,上升时间为3ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为1.8A,Vds漏极-源极击穿电压为600V,Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为68ns,典型接通延迟时间为6ns,沟道模式为增强。
SP-OR是套件O形环更换件,更多SP-OR信息请联系技术支持团队。
SPP1018N80C3,带有infineon制造的电路图。SPP1018N80C3采用TO-220F封装,是IC芯片的一部分。