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SPP03N60C3是MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000681018 SPP3N60C3HKSA1 SP603N60C3XK SP03N60C3XKSA1，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为38 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.2A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
SPP03N60S5是MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有CoolMOS S5系列，上升时间为25 ns，漏极电阻Rds为1.4欧姆，Pd功耗为38 W，零件别名为SP000681020 SPP03N60S5XK SP603N60S5XKSA1，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3.2 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPP03N60C3XKSA1带有电路图，包括3.2 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表注释中显示了用于to-220-3的封装盒，该封装盒提供了管等封装特性，零件别名设计用于SP000681018 SPP03N80C3 SPP03N50C3XK，以及1.4欧姆Rds漏极源电阻，该设备也可以用作SPP03N60系列。此外，该技术为硅，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
SPP03N60S5HKSA1是MOSFET N-Ch 600V 3.2A TO220-3，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，数据表注释中显示了用于SP000012340 SPP03N80S5 SPP03N30S5XK的零件别名，该SPP03N50S5XK提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，该器件也可以用作600V Vds漏极-源极击穿电压。此外，Id连续漏极电流为3.2 A，该器件的漏极-源极电阻为1.4欧姆Rds，该器件具有1个晶体管型N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.211644盎司。
