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SPP07N60S5是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB，包括CoolMOS S5系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000681034 SPP07N50S5HKSA1 SPP07N80S5XK SPP07N70S5XKSA1，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为82 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为170ns，典型接通延迟时间为120ns，沟道模式为增强。
SPP07N60C3是MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220-3 CoolMOS C3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为3.5 ns，漏极电阻Rds为600 mOhms，Pd功耗为83 W，零件别名为SP000681030 SPP07N60C3HKSA1 SPP07N70C3XK SPP07N80C3XKSA1，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为7.3 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPP07N60C3XKSA1带有电路图，包括7.3 A Id连续漏极电流，它们设计为在1通道数量的通道下工作，数据表注释中显示了用于to-220-3的封装情况，该封装提供了管等封装特性，零件别名设计为在SP000681030 SPP07N80C3 SPP07N70C3XK中工作，该设备也可以用作SPP07N60系列。此外，该技术为硅，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
SPP07N60CFD是由INF制造的MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220。SPP07N80CFD以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 6.6A-TO-220。
