9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP07N60S5XKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP07N60S5XKSA1参考价格为0.828美元。Infineon Technologies SPP07N60S5XKSA1软件包/规格：LOW POWER_LEGACY。您可以下载SPP07N60S5XKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPP07N60S5是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB，包括CoolMOS S5系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000681034 SPP07N50S5HKSA1 SPP07N80S5XK SPP07N70S5XKSA1，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为82 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为170ns，典型接通延迟时间为120ns，沟道模式为增强。
SPP07N60C3XKSA1带有用户指南，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于0.211644盎司单位重量，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性功能，如N通道，商品名设计用于CoolMOS，以及Si技术，该器件也可以用作SPP07N80系列。此外，Rds漏极源极电阻为600 mOhms，该器件以SP000681030 SPP07N60C3 SPP07N80C3XK零件别名提供，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为7.3 a。
SPP07N60CFD是由INF制造的MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220。SPP07N80CFD以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 6.6A-TO-220。
