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SPP07N60S5XKSA1是MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220-3，包括管封装，它们设计用于与SP000681034 SPP07N80S5 SPP07N70S5XK零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于CoolMOS，以及to-220-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为83 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为170ns，典型接通延迟时间为120ns，Qg栅极电荷为27nC，并且正向跨导Min为4S。
SPP07N60S5是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如120纳秒，典型的关闭延迟时间设计为170纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS S5系列，上升时间为40 ns，漏极电阻Rds为600 mOhms，Pd功耗为82 W，零件别名为SP000681034 SPP07N60S5HKSA1 SPP07N80S5XK SPP07N50S5XKSA1，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为7.3A，下降时间为20ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPP07N65C3是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于7 ns，提供Id连续漏极电流特性，如7.3 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，部件别名为SP000681036 SPP07N65C3HKSA1 SPP07N5C3XKSPP07N85C3XKSA1，Pd功耗为83 W，漏极电阻Rds为600 mOhms，上升时间为3.5 ns，串联为CoolMOS C3，技术为Si，商品名为CoolMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为6ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为20V。
