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SPP15P10PL H是MOSFET P-Ch-100V-15A TO220-3，包括SPP15P10系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000683162 SPP15P1P10PLHXK SPP15P15PLHXKSA1，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及SIPMOS商标，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 P通道，Pd功耗为128 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-15A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds导通漏极-漏极电阻为200mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为7.6ns，Qg栅极电荷为47nC，正向跨导最小值为11S，并且信道模式是增强。
SPP15P10P H是MOSFET P-Ch-100V-15A TO220-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为SIPMOS，该器件采用Si技术，该器件具有SPP15P10系列，上升时间为23ns，漏极源极电阻Rds为240mOhms，Qg栅极电荷为37nC，Pd功耗为128W，零件别名为SP000683160 SPP15P10PHXK SPP15P1P10PHXKSA1，包装为管，包装盒为TO-220-3，通道数量为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为-15 A，正向跨导最小值为9.3 S，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPP16N50C3是MOSFET N-Ch 560V 16A TO220-3 CoolMOS C3，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于8 ns，提供Id连续漏极电流功能，如16 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，部件别名为SP000681056 SPP16N50C3HKSA1 SPP16N40C3XK SPP16N50C3XKSA1，Pd功耗为160 W，漏极电阻Rds为280 mOhms，上升时间为8 ns，系列为CoolMOS C3，技术为Si，商品名为CoolMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为560V，Vgs栅极-源极电压为20V。
