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FDMS3604S是MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006032盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的Power56，配置为单通道，FET类型为2 N通道（双）不对称，最大功率为1W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1785pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为13A，23A，Rds On最大Id Vgs为8 mOhm@13A，10V，Vgs th最大Id为2.7V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为29nC@10V，Pd功耗为2.2 W 2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.2 nS 3.4 nS，上升时间为2.5 nS 4.8 nS，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为13 A 23 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅-源极阈值电压为1.8 V 2 V，Rds漏极源极电阻为2.2 m欧姆5.8 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns 31ns，典型接通延迟时间为8.2ns 13ns，Qg栅极电荷为21nC 47nC，正向跨导最小值为61S 130S，信道模式为增强。
FDMS3606AS是MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56，包括2.7V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在2 V 1.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于+/-20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如30 V，单位重量设计为在0.003175盎司范围内工作，该器件还可以用作20ns 36ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为8-PQFN（5x6），Power56，系列为PowerTrenchR，上升时间为2.5 ns 5.5 ns，Rds On Max Id Vgs为8 mOhm@13A，10V，Rds On Drain Source Resistance为8 m欧姆1.9 mOhm，Qg栅极电荷为59nC 27nC，最大功率为1W，Pd功耗为2.5W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerTDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为1695pF@15V，Id连续漏极电流为13 A 27 A，栅极电荷Qg-Vgs为29nC@10V，正向跨导最小值为61 S 154 S，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为逻辑电平门，下降时间为2.2 nS 3.4 nS，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为13A、27A，配置为双。
FDMS3606S是MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56，包括13A、27A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双）不对称，栅极电荷Qg Vgs设计用于29nC@10V，以及1785pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该设备提供2个通道数量的通道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），包装箱为8-PowerTDFN，包装为Digi-ReelR交替包装，功率最大值为1W，Rds On Max Id Vgs为8 mOhm@13A，10V，系列为PowerTrenchR，供应商设备包装为Power56，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，单位重量为0.006032盎司，Vgs th最大Id为2.7V@250μA。
