9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMC4436BZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMC4436BZ价格参考4.98美元。onsemi FDMC4436BZ封装/规格：MOSFET P-CH。您可以下载FDMC4436BZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMC4435BZ是MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007055盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有8-MLP（3.3x3.3），电源33为供应商器件封装，配置为单四漏极三源，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.3W，晶体管类型为1个P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为2045pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8.5A（Ta）、18A（Tc），Rds On最大Id Vgs为20mOhm@8.5A、10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为46nC@10V，Pd功耗为2.3W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为20纳秒，上升时间为6纳秒，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为8.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为20毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为34纳秒，典型的开启延迟时间为10ns，信道模式为增强。
FDMC4435BZ_F126带有用户指南，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.010582 oz单位重量运行，数据表说明中显示了用于1 P沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计为在Si中工作，以及20 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作31W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用MLP-8封装盒，该器件具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-8.5 a。
FDMC4435BZ QFN8，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDMC4435BZ QFN8采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
