9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH75N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH75N15参考价格为0.7美元。IXYS IXTH75N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 75A TO247。您可以下载IXTH75N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH75N10L2是带有扩展FBSOA的MOSFET LinearL2 Powr MOSFET，包括IXTH75N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.158733盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有400 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为75 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，漏极-源极电阻Rds为21mOhms，晶体管极性为N沟道。
IXTH72N30T是MOSFET N-CH 300V 72A TO-247，包括300 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.229281盎司单位重量下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于IXTH72N20，以及52欧姆Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-247-3，该器件采用通孔安装方式，该器件具有72A的Id连续漏电流。
IXTH75N10是由IXYS制造的MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD。IXTH75N10在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD、N沟道100V 75V（Tc）300W（Tc）通孔TO-247（IXTH）、Trans MOSFET N-CHSi 100V 75B 3-Pin（3+Tab）TO-247AD、MOSFET STD N-CHNL PWR MOSFE 100V、75A。
