9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH98N20T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH98N20T参考价格为1.614美元。IXYS IXTH98N20T封装/规格：MOSFET N-CH 200V 98A TO247。您可以下载IXTH98N20T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTH96N20P是MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds，包括IXTH96N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为96A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为145nC，正向跨导最小值为40S，并且信道模式是增强。
IXTH96P085T是MOSFET-96安培-85V 0.013 Rds，包括-2 V至-4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在15 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-85 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为23 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTH96P085系列，上升时间为34ns，Rds漏极-源极电阻为13mOhm，Qg栅极电荷为180nC，Pd功耗为298W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-96 A，正向跨导最小值为66 S，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH96N25T是MOSFET 96安培250V 36 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于28 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如96 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为625W，Rds漏极-源极电阻为29mOhm，上升时间为22ns，系列为IXTH96N25，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为59ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为30V。
