9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTK128N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTK128N15参考价格为0.88美元。IXYS IXTK128N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 128A TO264。您可以下载IXTK128N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTK120N25P是MOSFET 120安培250V 0.024 Rds，包括IXTK120N2 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及to-264-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为700 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为33纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为185nC，正向跨导最小值为50S，并且信道模式是增强。
IXTK120P20T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括-4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在15 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-200 V，提供单位重量功能，如0.264555 oz，典型开启延迟时间设计为90 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchP，该器件采用Si技术，该器件具有IXTK120P20系列，上升时间为85 ns，漏极源极电阻Rds为30 mOhms，Qg栅极电荷为740 nC，Pd功耗为1.04 kW，封装为管，封装盒为TO-264-3，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-120 A，正向跨导最小值为85 S，下降时间为50 ns，信道模式为增强。
IXTK120N25，电路图由IXYS制造。IXTK120N25在TO264封装中提供，是IC芯片的一部分，N沟道250V 120A（Tc）730W（Tc）通孔TO-264（IXTK），Trans-MOSFET N-CH Si 250V 120V 3引脚（3+Tab）TO-264AA。
