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IXTK150N15P是MOSFET 150安培150V 0.013 Rds，包括IXTK150N 15系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.352740盎司的数据表注释中，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及to-264-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为714W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为150A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为190nC，正向跨导最小值为55S，并且信道模式是增强。
IXTK140N30P是MOSFET极性功率MOSFET，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于300 V，具有0.264555盎司等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以极性商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTK140N30，上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为20 mOhm，Qg栅极电荷为185 nC，Pd功耗为1.04 kW，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为140 A，正向跨导最小值为50 S，下降时间为20 ns，信道模式为增强型。
IXTK140N20P是MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了90 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如140 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为800W，Rds漏极-源极电阻为18mOhm，上升时间为35ns，系列为IXTK140N20，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
