9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTK180N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTK180N15参考价格为2.03美元。IXYS IXTK180N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 180A TO264。您可以下载IXTK180N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTK170P10P是MOSFET P-CH 100V 170A TO-264，包括PolarP？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.352740盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-264-3、to-264AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-264（IXTK），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为890W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为12600pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为170A（Tc），最大Id Vgs的Rds为12 mOhm@500mA，10V，Vgs的最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为240nC@10V，Pd功耗为890W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极电源电压为20 V，Id连续漏极电流为-170A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds漏极源极电阻为12mOhm，晶体管极性为P沟道。
IXTK17N120L是MOSFET 17安培1200V，包括5V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在30V Vgs栅-源电压下工作，Vds漏-源击穿电压显示在数据表注释中，用于1200V，提供单位重量功能，如0.352740盎司，典型的开启延迟时间设计为40纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTK17N120系列，上升时间为39 ns，漏极-源极电阻Rds为990 mOhms，Qg栅极电荷为270 nC，Pd功耗为700 W，封装为管，封装外壳为TO-264-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为17 A，正向跨导最小值为3.5 S，下降时间为63 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTK170N10P是MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds，包括增强通道模式，它们设计用于单配置操作，下降时间显示在数据表注释中，用于33 ns，提供Id连续漏极电流功能，如170 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为714W，漏极-源极电阻Rds为9 mOhms，上升时间为50 ns，系列为IXTK170N10，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
