9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTK21N100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTK21N100参考价格为5.982美元。IXYS IXTK21N100封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 21A TO264。您可以下载IXTK21N100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTK200N10P是MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds，包括IXTK200N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于10 g，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有1 N沟道晶体管型，Pd功耗为800W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为200A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型导通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为240nC，正向跨导最小值为60S，并且信道模式是增强。
IXTK210P10T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括-4.5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在15V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-100V，提供单位重量功能，如0.264555盎司，典型开启延迟时间设计为90纳秒，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchP，该器件采用Si技术，该器件具有IXTK210P10系列，上升时间为98ns，漏极源极电阻Rds为7.5mOhms，Qg栅极电荷为740nC，Pd功耗为1.04kW，封装为管，封装盒为TO-264-3，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-210 A，正向跨导最小值为90 S，下降时间为55 ns，信道模式为增强。
IXTK20N150是MOSFET 1200V高压功率MOSFET，包括20 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-264-3，提供管、漏极电阻等封装特性，设计工作电阻为1欧姆，以及IXTK20N250系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.264555盎司，器件具有1500 V的Vds漏极-源极击穿电压。
