9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTK62N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTK62N25价格参考2.384美元。IXYS IXTK62N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 62A TO264。您可以下载IXTK62N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTK60N50L2是MOSFET N-CH 500V 60A TO-264，包括线性L2？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.264555盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于LinearL2，以及to-264-3、to-264AA包装盒，该设备也可以用作Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-264（IXTK），FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，最大功率为960W，漏极到源极电压Vdss为500V，输入电容Ciss Vds为24000pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为60A（Tc），Rds On Max Id Vgs为100 mOhm@30A，10V，Vgs th Max Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为610nC@10V，Pd功耗为960 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为165ns，典型接通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为610nC，并且前向跨导Min为18S，并且信道模式为增强。
IXTK5N250是MOSFET N-CH 2500V 5A TO264，包括5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于与to-264（IXTK）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于8.8 Ohm@2.5A，10V，提供功率最大功能，如960W，封装设计用于管，以及to-264-3，to-264AA封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供8560pF@25V输入电容Cis Vds，该器件具有200nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为2500V（2.5kV），25°C的电流连续漏极Id为5A（Tc）。
IXTK600N04T2是MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET，包括250纳秒的下降时间，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于to-264，以及管封装，该器件也可以用作1250W Pd功率耗散。此外，上升时间为20纳秒，该设备为IXTK600N04系列，该设备具有技术Si，商品名为HiPerFET，单位重量为0.352740盎司。
