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IXTK60N50L2是MOSFET N-CH 500V 60A TO-264，包括线性L2？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.264555盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于LinearL2，以及to-264-3、to-264AA包装盒，该设备也可以用作Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-264（IXTK），FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，最大功率为960W，漏极到源极电压Vdss为500V，输入电容Ciss Vds为24000pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为60A（Tc），Rds On Max Id Vgs为100 mOhm@30A，10V，Vgs th Max Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为610nC@10V，Pd功耗为960 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为165ns，典型接通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为610nC，并且前向跨导Min为18S，并且信道模式为增强。
IXTK62N25是MOSFET N-CH 250V 62A TO-264，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为115 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTK62N25系列，器件具有25 ns的上升时间，漏极电阻Rds为35 mOhms，Pd功耗为390 W，封装为管，封装外壳为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为62A，下降时间为15ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTK600N04T2是MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET，包括250纳秒的下降时间，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于to-264，以及管封装，该器件也可以用作1250W Pd功率耗散。此外，上升时间为20纳秒，该设备为IXTK600N04系列，该设备具有技术Si，商品名为HiPerFET，单位重量为0.352740盎司。
