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IXTK22N100L是MOSFET N-CHAN 1000V 22A，包括IXTK22N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.257500盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-264-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有700 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为22 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为36ns，Qg栅极电荷为270nC，正向跨导最小值为4.5S，沟道模式为增强。
IXTK210P10T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括-4.5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在15V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-100V，提供单位重量功能，如0.264555盎司，典型开启延迟时间设计为90纳秒，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchP，该器件采用Si技术，该器件具有IXTK210P10系列，上升时间为98ns，漏极源极电阻Rds为7.5mOhms，Qg栅极电荷为740nC，Pd功耗为1.04kW，封装为管，封装盒为TO-264-3，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-210 A，正向跨导最小值为90 S，下降时间为55 ns，信道模式为增强。
IXTK21N100是MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于40 ns，提供Id连续漏极电流功能，如21 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为500W，Rds漏极-源极电阻为550mOhms，上升时间为50ns，系列为IXTK21N100，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTK20N150是MOSFET 1200V高压功率MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-264-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及IXTK20N250系列，该器件也可以用作20AId连续漏电流。此外，Vds漏极-源极击穿电压为1500 V，器件的漏极-漏极电阻为1欧姆Rds，器件的单位重量为0.264555盎司。
