9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTK90N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTK90N15参考价格1.288美元。IXYS IXTK90N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 90A TO264。您可以下载IXTK90N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTK82N25P是MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds，包括IXTK82N2 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及to-264-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为82A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为78ns，典型接通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为142nC，正向跨导Min为30S，并且信道模式是增强。
IXTK8N150L是MOSFET 8安培1500V，包括8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1500 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，典型开启延迟时间设计为36 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTK8N150系列，器件的上升时间为18 ns，漏极-源极电阻Rds为3.6欧姆，Qg栅极电荷为250 nC，Pd功耗为700 W，封装为管，封装盒为TO-264-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为8 A，正向跨导最小值为1.4 S，下降时间为95 ns，信道模式为增强型。
IXTK82N25是由IXYS制造的MOSFET N-CH 250V 82A TO-264。IXTK82N25在TO-264-3、TO-264AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 250V 82A TO-264。
