9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTN120N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTN120N25参考价格为0.836美元。IXYS IXTN120N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B。您可以下载IXTN120N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTN110N20L2是MOSFET 100Amps 200V，包括IXTN110N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于线性L2，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，Pd功耗为735W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为135 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-源极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为500nC，正向跨导最小值为55S，沟道模式为增强。
带有用户指南的IXTN102N65X2，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供典型的开启延迟时间功能，如37 ns，典型的关闭延迟时间设计为67 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为28 ns，器件提供30 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有152 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为595 W，封装外壳为SOT-227B-3，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为76A，并且正向跨导Min为50S，并且下降时间为11ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
IXTM21N50是由IXYS制造的Trans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin（2+Tab）TO-204AE。IXTM21N50采用TO-3P封装，是模块的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin（2+Tab）TO-204AE。
