9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTN36N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTN36N50参考价格为5.462美元。IXYS IXTN36N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B。您可以下载IXTN36N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTN30N100L是MOSFET 30安培1000V，包括IXTN30N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-227-4以及Si技术，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单双源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有800W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为78 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为36ns，沟道模式为增强。
IXTN32P60P是MOSFET-32安培-600V 0.350 Rds，包括-2 V至-4 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在-600V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如37纳秒，典型的关闭延迟时间设计为95纳秒，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为IXTN32P60，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为350 mOhms，Qg栅极电荷为196 nC，Pd功耗为890 W，封装为管，封装外壳为SOT-227-4，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为32A，正向跨导最小值为32S/21S，下降时间为33ns。
IXTN320N10T是MOSFET 320 Amps 100V，包括320 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。SOT-227-4中使用的数据表说明中显示了封装情况，该SOT-2274提供了管、漏极电阻等封装功能，设计为工作在3.2 mOhms，以及IXTN320N20系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为1.340411盎司，器件具有100 V的Vds漏极-源极击穿电压。
