9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTN79N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTN79N20参考价格为8.518美元。IXYS IXTN79N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B。您可以下载IXTN79N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTN62N50L是MOSFET 62 Amps 500V，包括IXTN62N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于线性，以及SOT-227-4封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为800W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为75ns，上升时间为85ns，Vgs栅源电压为30V，Id连续漏极电流为62A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型导通延迟时间为36ns，Qg栅极电荷为550nC，正向跨导最小值为10S，并且信道模式是增强。
IXTN60N50L2是MOSFET 60 Amps 500V，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为40 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为Linear L2，该器件采用Si技术，该器件具有IXTN60N50系列，上升时间为40纳秒，漏极源极电阻Rds为100毫欧，Qg栅极电荷为610 nC，Pd功耗为735 W，封装为管，封装外壳为SOT-227-4，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为53 A，正向跨导最小值为18 S，下降时间为38 ns，信道模式为增强。
IXTN61N50，电路图由IXYS制造。IXTN61N50在模块包中提供，是模块的一部分。
