9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP130N065T2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP130N065T2参考价格为5.224美元。IXYS IXTP130N065T2封装/规格：MOSFET N-CH 65V 130A TO220AB。您可以下载IXTP130N065T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP12N50P是MOSFET 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds，包括IXTP12N60P系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为200W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20ns，上升时间为27ns，Vgs栅源电压为30V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为500mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为29nC，正向跨导Min为7.5S，并且信道模式是增强。
IXTP120N075T2是MOSFET 120安培75V，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于75 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchT2，该器件采用Si技术，该器件具有IXTP120N075系列，上升时间为33 ns，漏极源极电阻Rds为7.7 mOhms，Qg栅极电荷为78 nC，Pd功耗为250 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，正向跨导最小值为38 S，下降时间为18 ns，信道模式为增强。
IXTP120P065T是MOSFET-120安培-65V 0.01 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于21 ns，提供Id连续漏极电流功能，如-120 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为298 W，Qg栅极电荷为185 nC，漏极电阻Rds为10 mOhm，上升时间为28 ns，系列为IXTP120P065，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为31ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为-65V，Vgs栅极-源极电压为15V。
