9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP36N20T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP36N20T参考价格为0.542美元。IXYS IXTP36N20T封装/规格：MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB。您可以下载IXTP36N20T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP32P05T是MOSFET 32安培50V 0.036 Rds，包括IXTP32P0.05系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于TrenchP，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 P信道晶体管型，该器件具有83 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅源电压为15 V，并且Id连续漏极电流为-32A，Vds漏极-源极击穿电压为-50V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为39mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型导通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为46nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
IXTP32P20T是MOSFET TenchP功率MOSFET，包括-200 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.012346盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1个P通道，提供晶体管极性特性，如P通道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作130mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，设备采用TO-220-3包装盒，设备具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为-32A。
IXTP340N04T4带有电路图，包括管封装，它们设计为使用Si技术操作，产品名称显示在TrenchT4中使用的数据表注释中。
