9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP36N30T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP36N30T参考价格$1.258。IXYS IXTP36N30T封装/规格：MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB。您可以下载IXTP36N30T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP36N30P是MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds，包括IXTP36N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为36A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为92mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为97ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为70nC，正向跨导Min为12S，并且信道模式是增强。
IXTP36N20T是MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds，包括200 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于单位重量为0.081130 oz的情况下，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作60欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，设备采用TO-220-3包装盒，设备具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为36 a。
IXTP340N04T4带有电路图，包括管封装，它们设计为使用Si技术操作，产品名称显示在TrenchT4中使用的数据表注释中。
