9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLUF4189NZTAG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTLUF4189NZTAG参考价格为0.20000美元。onsemi NTLUF4189NZTAG封装/规格：MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN。您可以下载NTLUF4189NZTAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTLUD3A50PZTAG是MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN，包括NTLUD3A50PZ系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-UDFN暴露焊盘，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备采用6-UDFN（2x2）供应商设备包提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为500mW，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为920pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.8A，最大Id Vgs的Rds为50 mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.4nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-5.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为0.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为10.4nC，并且正向跨导Min为16S。
NTLUD3A260PZTBG是MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-UDFN（1.6x1.6）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于NTLUD3A360P，提供Rds on Max Id Vgs功能，如200 mOhm@2A，4.5V，功率最大设计为500mW，以及0.8 W Pd功耗，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为6-UFDFN暴露焊盘，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为300pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为4.2nC@4.5V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为1.3A，配置为双。
带有电路图的NTLUD3A50PZTBG，包括2.8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在10.4nC@4.5V下工作，以及920pF@15V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用6-UDFN外露衬垫包装盒，该设备具有包装胶带和卷轴（TR），最大功率为500mW，最大Id Vgs的Rds为50 mOhm@4A，4.5V，系列为NTLUD3A50PZ，供应商设备包装为6-UDFN（2x2），技术为Si，Vgsth最大Id为1V@250μA。
