9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP3N110，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP3N110参考价格为6.638美元。IXYS IXTP3N110封装/规格：MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB。您可以下载IXTP3N110英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTP3N100P是MOSFET 3安培1000V 4.8 Rds，包括IXTP3U100系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为39nC，正向跨导最小值为1.5S，并且信道模式是增强。
IXTP3N100D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）1000V 3A，包括1000V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在单位重量为0.081130盎司的情况下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作6欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，设备采用TO-220-3包装盒，设备具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为3A。
IXTP3N100，电路图由IXYS制造。IXTP3N100在TO-220封装中提供，是FET的一部分-单个。
