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FDMS86568_F085是MOSFET 60V 80A Power56 N-Chnl PowerTrench，包括卷盘封装，它们设计用于0.008818盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供214 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为55nC，沟道模式为增强。
FDMS86569_F085和用户指南，包括2 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为11 ns，器件的漏极-源极电阻为10.8 mOhms，Qg栅极电荷为36 nC，Pd功耗为100 W，封装为卷轴式，封装外壳为Power56-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为65 A，下降时间为8 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强型。
FDMS86550是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 8MLP。FDMS86550采用8-PowerTDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 8MLP、N沟道60V 32A（Ta）、155A（Tc）2.7W（Ta）和156W（Tc）表面安装功率56、Trans MOSFET N-CH60V 100A 8引脚功率56 EP T/R、MOSFET PT7 60/20v SG、N沟道功率沟槽MOSFET。
FDMS86550ET60，带有Fairchild制造的EDA/CAD模型。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET PT7 60/20v SG、N沟道60V 32A（Ta）、245A（Tc）3.3W（Ta），187W（Tc）表面安装功率56、Trans MOSFET N-CH 60V 32B 8引脚功率QFN EP T/R、MOSFET PT6 60/20v SGN沟道功率沟道MOSFET”。
