9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP44N30T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP44N30T参考价格为8.812美元。IXYS IXTP44N30T封装/规格：MOSFET N-CH 300V 44A TO220AB。您可以下载IXTP44N30T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP42N25P是MOSFET 42安培250V 0.084 Rds，包括IXTP42N2 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为42A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为84mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为81ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为70nC，正向跨导Min为12S，并且信道模式是增强。
IXTP44N10T是MOSFET N-CH 100V 44A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如21 ns，典型的关闭延迟时间设计为36 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTP44N10系列，器件的上升时间为47ns，漏极电阻Rds为30mOhms，Pd功耗为130W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为44 A，下降时间为32 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTP44N25T是MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds，包括44 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式工作，封装盒如数据表注释所示，用于to-220-3，提供管等封装特性，Rds漏极电阻设计为72欧姆工作，以及IXTP44N2 5系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.081130盎司，器件具有250V的Vds漏极-源极击穿电压。
IXTP44N15T是由IXYS制造的MOSFET N-CH 150V 44A TO-220。IXTP44N15T采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 150V 44A TO-220、N沟道150V 44B（Tc）通孔TO-220AB、-TO-220。
