9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP54N30T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP54N30T参考价格为6.318美元。IXYS IXTP54N30T封装/规格：MOSFET N-CH 300V 54A TO220AB。您可以下载IXTP54N30T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTP54N30T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTP52P10P是MOSFET-52.0 Amps-100V 0.050 Rds，包括IXTP52P11系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为-52A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为60nC，并且前向跨导Min为12S，并且信道模式为增强。
IXTP50N20PM是MOSFET 20安培200V 0.060欧姆Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于2300 g，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为硅，器件为IXTP50N20系列，器件的上升时间为35ns，漏极电阻Rds为66mOhms，Pd功耗为90W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为20 A，下降时间为30 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTP50N25T是MOSFET N-CH 250V 50A TO-220，包括单一配置，它们设计为在50 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，封装为Tube，器件提供400 W Pd功耗，器件具有60 mOhms的Rds漏极-源极电阻，系列为IXTP50N25，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.081130 oz，Vds漏极源极击穿电压为250 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
