9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY12N06TTRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY12N06TTRL参考价格为2.266美元。IXYS IXTY12N06TTRL封装/规格：MOSFET N-CH 60V 12A TO252。您可以下载IXTY12N06TTRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTY08N50D2是MOSFET N-CH MOSFET 500V 800MA，包括IXTY08N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件还可以用作1通道数的通道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供60 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为52 ns，上升时间为54 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为800 mA，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极漏极-漏极电阻为4.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为12.7nC，正向跨导Min为340mS。
IXTY12N06T是MOSFET 12安培6V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作IXTY12N06系列。此外，Rds漏极-源极电阻为85 mOhms，该器件提供33 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，并且Id连续漏极电流为12A，并且配置为Single。
IXTY08N120P是MOSFET 0.8安培1200V 25 Rds，包括8 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式。数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供to-220-3等封装外壳功能，该设备也可以用作IXTY08N120系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.081130盎司，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V。
IXTY10P15T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-252-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及IXTY10P15系列，该器件也可以用作350m欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，单位重量为0.081130盎司，该器件提供-150V Vds漏极源击穿电压，该器件具有-10A的Id连续漏极电流。
