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IXTQ42N25P是MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P，包括IXTQ42N2 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及TO-3P-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为42A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为84mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为81ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为70nC，正向跨导Min为12S，并且信道模式是增强。
IXTQ40N50L2是MOSFET 40 Amps 500V，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为50 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以线性L2商品名提供，该器件具有技术硅，系列为IXTQ40N50，上升时间为133 ns，漏极-源极电阻Rds为170 mOhm，Qg栅极电荷为320 nC，Pd功耗为540 W，封装为管，封装盒为TO-3P-3，沟道数量为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为11 S，下降时间为44 ns，信道模式为增强型。
IXTQ42N50P，带有IXYS制造的电路图。IXTQ42N50P采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
