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IXTQ52P10P是MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P，包括PolarP？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP，以及to-3P-3、SC-65-3包装箱，该设备也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数为1的通道，供应商器件封装为TO-3P，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为300W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为2845pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为52A（Tc），最大Id Vgs的Rds为50mOhm@500mA，10V，Vgs的最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为60nC@10V，Pd功耗为300W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为29ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-52A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs第栅极-源阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型导通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为60nC，正向跨导Min为12S，信道模式为增强。
IXTQ50N20P是MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于200V，提供单位重量功能，如0.194007盎司，典型开启延迟时间设计为26纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHT商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTQ50N20，上升时间为35ns，漏极-源极电阻Rds为60mOhm，Qg栅极电荷为70nC，Pd功耗为360W，封装为Tube，封装盒为TO-3P-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为50 A，正向跨导最小值为12 S，下降时间为30 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTQ50N25T是MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P，包括增强通道模式，它们设计为在25 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了35 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流特性，例如50 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-3P-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为400 W，Qg栅极电荷为78 nC，漏极电阻Rds为60 mOhm，上升时间为25 ns，系列为IXTQ50N25，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为14ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为30V，第Vgs栅极源极阈值电压为5V。
IXTQ52N30P是MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P，包括管封装，它们设计为与TO-3P-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXTQ52N20系列。此外，信道模式为增强型，该器件提供66 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有60 ns的典型关断延迟时间，Id连续漏极电流为52 a，Pd功耗为400 W，Vds漏极源极击穿电压为300 V，典型接通延迟时间为24 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅源电压为20V，下降时间为20ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.194007oz，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
