9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ62N25T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ62N25T参考价格为1.008美元。IXYS IXTQ62N25T封装/规格：MOSFET N-CH 250V 62A TO3P。您可以下载IXTQ62N25T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTQ62N15P是MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P，包括IXTQ62N25系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，该产品具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-3P-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有350 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为38 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为62 a，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为76ns，典型接通延迟时间为27ns，沟道模式为增强型。
IXTQ60N30T是MOSFET 60安培300V 60 Rds，包括300 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.194007盎司的单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作60欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，装置采用TO-3P-3包装箱，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为60A。
IXTQ60N25T，电路图由IXYS制造。IXTQ60N25T采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
