9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ72N30T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ72N30T参考价格为1.874美元。IXYS IXTQ72N30T封装/规格：MOSFET N-CH 300V 72A TO3P。您可以下载IXTQ72N30T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTQ64N25P是MOSFET N-CH 250V 64A TO-3P，包括IXTQ64N2 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，该产品具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-3P-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有400 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为64 a，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为49mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为21ns，正向跨导最小值为30S，沟道模式为增强。
IXTQ69N30P是MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在300 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.194007盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTQ69N30系列，器件的上升时间为25 ns，漏极电阻Rds为49 mOhms，Pd功耗为500 W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为69 A，下降时间为27 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTQ72N20T是MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds，包括72 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表说明中显示了to-3P-3中使用的封装情况，该to-3P-3提供了管、漏极电阻等封装功能，设计为33欧姆工作，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.194007盎司，器件具有200V的Vds漏极-源极击穿电压。
