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IXTT120N15P是MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A，包括IXTT120N1 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为150nC，正向跨导最小值为40S，并且信道模式是增强。
IXTT11P50是MOSFET 11安培500V 0.75 Rds，包括-5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-500 V，提供单位重量功能，如0.158733 oz，典型开启延迟时间设计为33 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTT11P50系列，上升时间为27ns，Rds漏极-源极电阻为750mOhms，Qg栅极电荷为130nC，Pd功耗为300W，封装为管，封装外壳为TO-268-2，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-11 A，正向跨导最小值为5 S，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTT110N10L2是MOSFET线性扩展FBSOA功率MOSFET，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了24 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如55 S，Id连续漏电流设计为在110 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1通道数的通道，器件具有TO-268-2封装盒，封装为管，Pd功耗为600 W，Qg栅极电荷为260 nC，Rds漏极-源极电阻为18 mOhms，上升时间为130 ns，系列为IXTT110N10，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为99ns，典型接通延迟时间为28ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V。
IXTT10P60是MOSFET-10 Amps-600V 1 Rds，包括管封装，它们设计用于to-268-2封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于P沟道，以及IXTT10P80系列，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的1欧姆Rds。此外，单位重量为0.158733盎司，该设备提供-600V Vds漏极源击穿电压，该设备具有-10A的Id连续漏极电流。
