9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ88N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ88N15参考价格为1.432美元。IXYS IXTQ88N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 88A TO3P。您可以下载IXTQ88N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTQ86N20T是MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P，包括IXTQ86N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，该产品具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-3P-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有480 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为24 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为86 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，第Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为29mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为90nC，沟道模式为增强。
IXTQ82N25P是MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如29 ns，典型的关闭延迟时间设计为78 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为硅，该器件为IXTQ82N25系列，该器件的上升时间为20纳秒，漏极电阻Rds为35毫欧，Pd功耗为500瓦，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为82A，下降时间为22ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTQ82N25T，电路图由IXYS制造。IXTQ82N25T采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
