9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMC6683PZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMC6683PZ价格参考1.468美元。onsemi FDMC6683PZ封装/规格：MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP。您可以下载FDMC6683PZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMC6679AZ是MOSFET P-CH 30V POWER33，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007408盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-MLP（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.3W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为3970pF@15V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为11.5A（Ta），20A（Tc），最大Id Vgs为10mOhm@11.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为91nC@10V，Pd功耗为41W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为-20A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs第h栅极-源极端电压为-1.8V，Rds漏极源极电阻为10mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为37nC，正向跨导最小值为46S。
FDMC6675BZ是MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007055盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为44 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为10 ns，器件的漏极-源极电阻为14.4 mOhms，Pd功耗为2.3 W，封装为卷轴式，封装外壳为MLP-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9.5 A，下降时间为26 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
FDMC6676BZ，带有FSC制造的电路图。FDMC6676BZ采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
