9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS0306S，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS0306S价格参考1.09美元。onsemi FDMS0306S包装/规格：集成电路。您可以下载FDMS0306S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如FDMS0306S价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FDMS0302S是MOSFET N-CH 30V 29A，包括卷轴封装，其设计为单位重量为0.002402盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计为在Si中工作，以及2信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为2 N沟道，器件提供1.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为29 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为78nC，正向跨导最小值为181S，沟道模式为增强。
FDMS0306AS是MOSFET N-CH 30V 26A PT8，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.002402盎司，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在5 ns上升时间内提供，器件具有2 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为41 nC，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为Power-56-8，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为26 A，正向跨导最小值为168 S，下降时间为4 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDMS0300S是MOSFET N-CH 30V 31A，包括2个信道数量的信道，它们设计用于卷盘封装。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N信道，晶体管类型设计用于2个N信道，以及0.002402盎司单位重量。
