9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTM67N10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTM67N10参考价格$9.898。IXYS IXTM67N10封装/规格：MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE。您可以下载IXTM67N10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTM67N10价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTL2X220N075T是MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK，包括TrenchMV？系列，它们设计用于管式包装，包装箱如数据表注释所示，用于ISOPLUSi5 Pak？，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于通孔，以及ISOPLUSi5 Pak？供应商设备包，该设备也可以用作2 N沟道（双）FET类型。此外，最大功率为150W，该器件提供75V漏极到源极电压Vdss，该器件具有7700pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为120A，最大Id Vgs上的Rds为5.5mOhm@50A，10V，Vgs最大Id为4V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为165nC@10V。
IXTL2X240N055T是MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5，包括4V@250μ？数据表注释中显示了用于TrenchMV？的供应商设备包系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如4.4 mOhm@50A，10V，Power Max设计为150W，以及管封装，该设备也可以用作ISOPLUSi5 Pak？封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有7600pF@25V输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为170nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为55V，电流连续漏极Id 25°C为140A。
IXTL2X22DND75T，电路图由IXYS制造。IXTL2X22DND75T采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
IXTM21N50是由IXYS制造的Trans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin（2+Tab）TO-204AE。IXTM21N50采用TO-3P封装，是模块的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin（2+Tab）TO-204AE。
