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FDMC0310AS-F127

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥5.62049
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.62
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21A(Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 52 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 8-MLP (3.3x3.3)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.4毫欧姆 @ 19A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3165 pF @ 15 V
  • 样式 -

FDMC0310AS-F127 产品详情

FDMC0310AS的设计旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。硅和封装技术的进步已经结合在一起,提供了最低的rDS(开),同时保持了优异的开关性能。该器件具有高效单片肖特基体二极管的额外优势。

特色

  • VGS=10 V,ID=19 A时最大RDS(开启)=4.4 mΩ
  • VGS=4.5 V,ID=17.5 A时最大RDS(开启)=5.2 mΩ
  • 先进的封装和硅组合,实现低rDS(开启)和高效率
  • 同步FET™ 肖特基体二极管
  • MSL1稳健的封装设计
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • 笔记本电脑
FDMC0310AS-F127所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDMC0310AS-F127 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMC0310AS-F127价格参考¥5.620490,你可以下载 FDMC0310AS-F127中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMC0310AS-F127规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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