9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLUS3A39PZCTBG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTLUS3A39PZCTBG参考价格$2.816。onsemi NTLUS3A39PZCTBG封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN。您可以下载NTLUS3A39PZCTBG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTLUS3A18PZTAG是MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN，其中包括NTLUS3B18PZ系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如UDFN-6，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供1.7 W Pd功耗，该器件具有-5.1 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为90 mΩ，晶体管极性为P沟道。
NTLUS3A18PZTBG是MOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN，包括-20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表中，用于P沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NTLUS3B18PZ，以及90 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作1.7W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，设备采用UDFN-6封装盒，设备具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为-5.1A，配置为单通道。
NTLUS3A18PZTCG是MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于NTLUS3B18PZ，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于P通道以及1个P通道晶体管类型。
NTLUS3A18PZCTCG具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于NTLUS3B18PZC。
