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NTLUS3A18PZCTAG
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NTLUS3A18PZCTAG

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1255

  • 库存: 385685
  • 单价: ¥1.73830
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,181.56
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.1A (Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
  • 供应商设备包装 6-UDFN (2x2)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2240 pF@15 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 18毫欧姆@7A,4.5V
  • 样式 -

NTLUS3A18PZCTAG 产品详情

功率MOSFET−20 V,−8.2 A,单P−通道,2.0x2.0x0.55 mm UDFN封装

特色

  • 带外露排水垫的UDFN封装
  • 优异的导热性
  • 薄型UDFN 2.0x2.0x0.55 mm
  • 节省板空间
  • 超低RDS(开启)
  • 提高系统效率
  • ESD二极管保护栅极
  • 符合RoHS

应用

  • 针对便携式产品的电源管理应用进行了优化
  • 蓄电池开关
  • 高压侧负载开关
  • 便携式产品,如手机、媒体平板电脑、PMP、DSC、GPS和其他


(图片:引出线)

NTLUS3A18PZCTAG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTLUS3A18PZCTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTLUS3A18PZCTAG价格参考¥1.738296,你可以下载 NTLUS3A18PZCTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTLUS3A18PZCTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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