特色
- 带外露排水垫的UDFN封装
- 优异的导热性
- 薄型UDFN 2.0x2.0x0.55 mm
- 节省板空间
- 超低RDS（开启）
- 提高系统效率
- ESD二极管保护栅极
- 符合RoHS
应用
- 针对便携式产品的电源管理应用进行了优化
- 蓄电池开关
- 高压侧负载开关
- 便携式产品，如手机、媒体平板电脑、PMP、DSC、GPS和其他
（图片：引出线）
NTLUS3A18PZCTCG
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1195
- 库存: 24000
- 单价: ¥1.81073
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,163.82
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.1A (Ta)
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
- 供应商设备包装 6-UDFN (2x2)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2240 pF@15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 18毫欧姆@7A，4.5V
NTLUS3A18PZCTCG 产品详情
功率MOSFET−20 V，−8.2 A，单P−通道，2.0x2.0x0.55 mm UDFN封装
NTLUS3A18PZCTCG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NTLMS4504NR2 | 安盛美 (onsemi) | TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S | ¥4.41817 |
 | NTLUD3A260PZTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NTLJD4116NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
 | NTLUD3A260PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTLJD3115PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | NTLJD2104PTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLJD2104PTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLUD3A50PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
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 | NTLTD7900ZR2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 20V 6A MICRO8 | ¥1.44858 |
NTLUS3A18PZCTCG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTLUS3A18PZCTCG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTLUS3A18PZCTCG价格参考￥1.810725，你可以下载 NTLUS3A18PZCTCG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTLUS3A18PZCTCG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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